DISPOSITIFS PHOTOELECTRIQUES H.T. A BASE D'ARSENIURE DE GALLIUMDOROKHINA TP; ZAJTSEVA AK; KAGAN MB et al.1973; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 2; PP. 6-8; ABS. ANGL.; BIBL. 1 REF.Serial Issue

PHOTOVOLTAIC EFFECTS IN LATERALLY ILLUMINATED P-N JUNCTIONSCONSTANTINESCU C; GOLDENBLUM A; SOSTARICH M et al.1973; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 35; NO 1; PP. 65-72; BIBL. 7 REF.Serial Issue

REGIME DE FONCTIONNEMENT COMPENSE D'UN SYSTEME DE FORMATION D'IMAGE CONSTITUE PAR UN SEMICONDUCTEUR PHOTOCONDUCTEUR A JONCTION P-NBOCHKAREVA NI; PARITSKIJ LG; RYVKIN SM et al.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 558-562; BIBL. 4 REF.Serial Issue

UTILISATION DES CELLULES PHOTOELECTRIQUES A SEMICONDUCTEUR COMME RECEPTEURS DE RAYONNEMENT ULTRAVIOLETGROSHKOVA GN.1973; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 1; PP. 7-9; ABS. ANGL.; BIBL. 3 REF.Serial Issue

SUR L'ANALYSE DU COURANT PHOTOELECTRIQUE D'UNE JONCTION P-N POLARISEE EN DIRECTMORELIERE R; VIGNES P.1972; C.R. ACAD. SCI., B; FR.; DA. 1972; VOL. 275; NO 25; PP. 951-954; BIBL. 1 REF.Serial Issue

DEEP LEVELS IN GAPOKUNO Y; SUTO K; NISHIZAWA JI et al.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 2; PP. 832-836; BIBL. 17 REF.Serial Issue

MESURE DU COURANT DE FUITE SUPERFICIEL D'UNE PHOTOPILE A SEMICONDUCTEURASHMARIN VK; LISIN AS.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 4; PP. 16-19; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Serial Issue

ETUDE DES EFFETS PHOTOELECTRIQUES AU VOISINAGE D'UNE JONCTION HORS D'EQUILIBREBOUCHER J.1973; C.R. ACAD. SCI., B; FR.; DA. 1973; VOL. 276; NO 4; PP. 157-160; BIBL. 4 REF.Serial Issue

LATERAL PHOTOVOLTAIC EFFECT IN NITROGEN-IMPLANTED P-TYPE SILICONNIU H; MATSUDA T; YAMAUCHI K et al.1972; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 21; NO 9; PP. 423-424; BIBL. 5 REF.Serial Issue

INFLUENCE DE L'HETEROGENEITE DE CHAMP DE FORMATION SUR LE RENDEMENT PHOTONIQUE D'UNE PHOTOPILE A SEMICONDUCTEUREVDOKIMOV VM; MILOVANOV AF.1972; GELIOTEKHNIKA, UZBEK. S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 4; PP. 24-35; ABS. ANGL.; BIBL. 7 REF.Serial Issue

ETUDE DU CLAQUAGE TUNNEL ET DES PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DE JONCTIONS P.N A BASE D'AL_XGA_1-XAS ET GAAS_1-XP_X DANS LE CAS D'UNE POLARISATION INVERSEPRONIN BV; PYZHIKOV IV.1972; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 6; NO 8; PP. 1432-1437; BIBL. 14 REF.Serial Issue